중국 D램이 10%를 넘었다 — 예상보다 4년 일찍 2년 전, 중국 창신메모리(CXMT)의 글로벌 D램 시장 점유율은 1%에도 미치지 못했습니다. 올해 2분기, 그 수치가 10%가 됐습니다. 시장조사업체 카운터포인트리서치와 UBS가 2028년에야 가능할 것으로 봤던 숫자입니다. 이번이 처음으로 두 자릿수 점유율을 기록한 분기입니다.
카운터포인트리서치에 따르면 CXMT의 2025년 2분기 글로벌 D램 시장 매출 점유율은 10%입니다. 분기 기준으로 두 자릿수에 진입한 것은 이번이 처음입니다. 같은 기간 삼성전자 점유율은 38%, SK하이닉스는 25%, 마이크론은 24%입니다. CXMT의 10%는 이미 마이크론과의 격차가 14%포인트로 좁혀진 수준입니다.
CXMT의 점유율 궤적은 가파릅니다. 2023년 1% 미만 → 2024년 2분기 4% → 2025년 1분기 8% → 2025년 2분기 10%. 불과 2년 사이에 10배 이상 늘어난 수치입니다. 업계는 다음 목표를 15%로 보고 있습니다. 황민성 카운터포인트리서치 디렉터는 "15%는 CXMT가 투자 재원 확보를 위해 반드시 넘어야 할 기준선"이라며 "현재 진행 중인 모든 투자는 그 목표를 가장 먼저 달성하기 위한 경쟁"이라고 말했습니다.
CXMT가 빠르게 점유율을 늘린 배경에는 시장 구조의 빈틈이 있습니다. 삼성전자와 SK하이닉스가 AI 가속기용 고대역폭메모리(HBM)와 최신 공정인 1c D램 경쟁에 자원을 집중하면서, 구형인 1a D램 등 범용 제품의 공급이 상대적으로 줄었습니다. CXMT는 이 빈 공간을 집중 공략했습니다. 생산능력 확대도 병행하고 있습니다. 현재 월 32만 장(웨이퍼 기준)인 생산능력을 내년 42만 장, 2030년에는 현재의 2배 수준으로 늘릴 계획이며, 상하이와 허페이에 신규 라인을 구축 중입니다. 최근 기업공개(IPO)까지 성공하며 투자 재원도 확보했습니다.
CXMT를 범용 제품 전문업체로만 보기 어려운 움직임도 나타나고 있습니다. CXMT는 현재 상용화된 최신 D램 규격인 DDR6를 샤오미의 스마트폰 신제품 '샤오미 폴드 18'에 탑재했습니다. 삼성전자와 SK하이닉스가 주도하는 첨단 메모리 영역에 발을 들인 것입니다. HBM 시장에서도 구 세대이지만 양사의 현 주력 제품인 HBM3E 양산을 추진하고 있습니다. 낸드 플래시 시장에서는 중국의 또 다른 메모리 기업 양쯔메모리(YMTC)가 2025년 1분기 기준 13%의 점유율을 이미 확보하며 경쟁 수위를 높이고 있습니다.
삼성전자와 SK하이닉스의 이번 분기 성적표는 정반대로 나뉘었습니다. 삼성전자는 전년 동기 대비 5%포인트 오른 38%로 1위를 되찾았습니다. SK하이닉스는 같은 기간 14%포인트 감소한 25%에 머물렀고, 3위 마이크론(24%)과의 격차도 1%포인트로 좁혀졌습니다. 카운터포인트리서치는 이 차이를 HBM 공급 집중 전략의 결과로 분석합니다. SK하이닉스가 HBM에 생산 역량을 집중하면서 범용 D램 가격 상승의 수혜를 상대적으로 덜 받았다는 설명입니다. 양사는 하반기 엔비디아 신형 AI칩 '베라 루빈'용 HBM4 양산으로 중국의 추격에 맞설 방침입니다.
CXMT의 현재 공략 대상은 구형 D램입니다. 삼성전자·SK하이닉스가 HBM과 최신 공정으로 올라갈수록, 그 아래 범용 시장의 공백은 더 커집니다. CXMT의 점유율 상승은 그 공백이 어디로 채워지고 있는지를 보여줍니다. HBM4 양산이 본격화하는 하반기, CXMT의 점유율이 15%를 향해 움직이는 속도가 이 구도를 가늠할 지표가 될 것입니다. 2년 전 1%였던 숫자가 이제 10%입니다.
